Главная страница
Навигация по странице:

  • Ответ

  • 2-10_Физические основы оптоэлектроники). Контрольная работа 2 (Вариант 10) по дисциплине Физические основы оптоэлектроники (Учебное пособие Физические основы оптоэлектроники


    Скачать 81.5 Kb.
    НазваниеКонтрольная работа 2 (Вариант 10) по дисциплине Физические основы оптоэлектроники (Учебное пособие Физические основы оптоэлектроники
    Анкор2-10_Физические основы оптоэлектроники).doc
    Дата06.05.2017
    Размер81.5 Kb.
    Формат файлаdoc
    Имя файла2-10_Физические основы оптоэлектроники).doc
    ТипКонтрольная работа
    #2408
    КатегорияЭлектротехника. Связь. Автоматика



    Федеральное агентство по образованию
    Томский межвузовский центр дистанционного образования

    Томский государственный университет

    систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)
    Контрольная работа №2

    (Вариант № 10)
    по дисциплине «Физические основы оптоэлектроники»
    (Учебное пособие «Физические основы оптоэлектроники»,

    Автор : В.Н. Давыдов

    Томск - 2004 г.
    Выполнил:

    студент ТМЦДО

    гр.: з-166-а

    специальности 210405
    Михайловский Павел Андреевич

    13 июля 2008 г.

    г. Благовещенск

    2008 г


    1. Рассчитать напряжение суммарного шума в полосе частот , измеряемого на постоянном резисторе величиной , если к резистору приложено постоянное напряжение величиной ,а температура окружающей среды равна .
    Решение.
    В данной задаче полный шум постоянного резистора слагается из теплового и дробового шума.
    Сначала определим величину постоянного тока протекающего через резистор

    Величина теплового шума, согласно теореме Найквиста:


    Средняя амплитуда дробового шума, создаваемого током определяется следующим выражением

    Определим напряжение полного шума:

    Вывод:
    Так как величина дробового шума очень мала, по сравнению с тепловым шумом, напряжение полного шума постоянного резистора в основном определяется величиной теплового шума.
    Ответ: .

    2. Вычислить параметр внешней квантовой эффективности германиевого образца, изготовленного в виде куба и содержащего атомов, если излучение лежит в диапазоне примесного поглощения, характеризуемого коэффициентом поглощения .
    Решение.
    Исходным выражением для определения параметра внешней квантовой эффективности служит выражение:


    Линейные размеры кристалла можно определить из количества атомов в образце:

    Определим длину свободного пробега фотонов:


    Следовательно, получим:


    Ответ:

    3. Определить величину анизотропии диэлектрической проницаемости нематического жидкого кристалла, имеющего коэффициент упругости , если при приложении электрического напряжения величиной к пленке толщиной электрическая когерентная длина в этом нематике составляет .
    Решение.
    Решая задачу, выразим величину напряжения в системе СГСЕ:

    Величину анизотропии диэлектрической проницаемости, можно определить, взяв за основу выражение:

    Где


    Тогда



    Ответ:
    написать администратору сайта